斯密特触发器光耦H11L3特性

　　<高数据速率1MHz的典型（NRZ）范围

　　<在整个电压和温度范围内无闩锁和oscilliation

　　<微处理器兼容驱动器

　　<最大逻辑兼容输出电流16mA

　　<保证开/关阈值迟滞

　　<宽电源电压能力，与所有的逻辑系统兼容

　　<输入和输出之间的隔离电压

　　斯密特触发器光耦H11L3额定最大值

　　<输入端红外发射管顺向电流最大60mA；反向电压最大6V；功率消耗最大120mW

　　<输出端最高耐压16V（Vo:0~16V， Vcc:3~16V），最大输出电流峰值50mA，功率消耗最大150mW

　　<总的功率消耗:250mW

　　<工作温度:-55~+100℃

　　<储存温度:-55~+150℃

　　<输入端与输出端高隔离电压达5000Vrms

　　<焊锡温度:260℃（耐热10秒）

　　斯密特触发器光耦H11L3电子特性:

　　<输入端:

　　1.顺向电压平均1.15V~最大1.5V（顺向电流10mA）；

　　2.反向电流最大10uA（反向电压VR:6V）

　　3.输入电容值最大100pF（V=0, f=1MHz ）

　　<输出端:

　　1.工作电压Vcc:3~15V

　　2.工作电流:平均1.6mA~最大5mA（IF=0mA, Vcc=5V ）

　　3.高位输出电流最大100uA（IF=0mA, Vcc=Vo=15V ）

　　4.绝缘电阻最小1011欧姆（VI-O=500VDC）

　　<传输特性:

　　1.工作电流Icc(on):1.6mA平均值~5mA最大（IF=10mA, Vcc=5V ）

　　2.低位输出电压VOL:最大0.4V（Vcc=5V, IF=IFon(max.), RL=270Ω ）

　　3. 打开发阀值电流最大5mA（Vcc=5V, RL=270Ω）

　　4. 关闭阀值电流:平均1mA（Vcc=5V, RL=270Ω）

　　5. 滞后/迟滞比率:0.5~0.9倍（Vcc=5V, RL=270Ω）

　　6. 启动时间:最大4uS （Vcc=5V, IF=IFon, RL=270Ω）

　　7. 衰减时间:平均0.1uS（Vcc=5V, IF=IFon, RL=270Ω）

　　8. 关断时间:最大4uS（Vcc=5V, IF=IFon, RL=270Ω）

　　9. 爬升时间:平均0.1uS（Vcc=5V, IF=IFon, RL=270Ω）

　　******开关时间测试电路及波形如下:

　　斯密特触发器光耦H11L3应用

　　<逻辑闸对逻辑闸隔离

　　<可编程电流传感器

　　<线路接收器 - 消除噪声和瞬态问题

　　<电源供应器数字程序隔离

　　<接口的计算器与外围设备隔离