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苏州收购电脑主板IC回收

时间:2020-09-12 11:37

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   苏州收购电脑主板IC回收 RTD器件主要制作在HEMT的源区或漏区,这样易形成串联或并联的形式,可以简化工艺,提高集成度。材料结构是在半绝缘的GaAs或InP衬底上,采用分子束外延(MBE)的方法依次生长HEMT层结构,中间阻挡层和RTD结构,这样排列的主要目的是为防止HEMT结构下出现掺杂层而影响器件的高频性能。工艺流程可简单的归纳为:RTD台面的形成-器件隔离-HEMT源漏电极的形成-栅槽的腐蚀及栅电极制作-电极互连等步骤。

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