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　　 上海收购16G内存卡回收 RTD器件主要制作在HEMT的源区或漏区，这样易形成串联或并联的形式，可以简化工艺，提高集成度。材料结构是在半绝缘的GaAs或InP衬底上，采用分子束外延（MBE）的方法依次生长HEMT层结构，中间阻挡层和RTD结构，这样排列的主要目的是为防止HEMT结构下出现掺杂层而影响器件的高频性能。工艺流程可简单的归纳为:RTD台面的形成-器件隔离-HEMT源漏电极的形成-栅槽的腐蚀及栅电极制作-电极互连等步骤。

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　　 1. MC3230:低阶，8 bit，3*3mm，与Freescale 的MMA7660（6 bit） 兼容。

　　 2. MC3210:高阶，14 bit，3*3mm，与Freescale 的MMA7660（6 bit） 兼容。

　　 （MC3210与MC3230互相兼容，无需修改电路，客户选用低阶或高阶更方便）

　　 3. MC3430:低阶，8 bit，2*2mm，与BOSCH的BMA220、222、250 兼容。

　　 4. MC3410:高阶，14 bit，2*2mm，与BOSCH的BMA220、222、250 兼容。

　　 （MC3410与MC3430互相兼容，无需修改电路，客户选用低阶或高阶更方便）

　　 5. MC3220，高阶，14 bit，3*3mm，与BOSCH的BMA020、023、150、180系列兼容。

　　 6. MC3250:高阶，14 bit，3*3mm，与Freescale的MMA845X系列兼容。

　　 7. MC6420:“重力加速传感器（14 bit）”+ “地磁(16 bit)”2合1，MC6420与MC32XX系列（MC3230、MC3210）重力加速传感器产品可以设计兼容；2合1比分立式空间更小，价格更具优势

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