英飞凌FF300R07ME4_B11

　　产品性能和作用

　　英飞凌FF300R07ME4_B11是采用采用第四代沟槽栅/场终止技术带有温度检测NTC EconoDUAL™3模块，经过优化，英飞凌FF300R07ME4_B11适用于高频和硬开关应用，在降低开关损耗、实现出类拔萃的效率方面，树立了行业新标杆并可满足开关频率高达100 kHz的应用需求。 低电压器件改进后的频谱性能和更低的开关损耗，使得UPS系统或太阳能逆变器等需要滤波器的产品受益匪浅。

　　英飞凌FF300R07ME4_B11产品特性

　　电气特性 

　　• 增加阻断电压至650V 

　　• 增加直流母线电压 

　　• 高短路能力，自限制短路电流 

　　• 沟槽栅IGBT4 

　　• Tvjop=150°C 

　　机械特性

　　• 集成NTC温度传感器 

　　• 绝缘的基板 

　　• 铜基板 

　　• PressFIT压接技术 

　　• 坚固的自成型PressFIT压接安装 

　　• 标封装

　　英飞凌FF300R07ME4_B11基本参数:沟槽栅IGBT4模块390A/650V, EconoDUAL™3封装

　　英飞凌FF300R07ME4_B11 封装尺寸和外形结构图（mm）

　　英飞凌FF300R07ME4_B11 产品参数 

　　英飞凌FF300R07ME4_B11 等效电路图

　　英飞凌FF300R07ME4_B11 IGBT在三电平系统中的运用

　　为了使设计更加容易并且确保器件在应用中具有更高的裕量，这些模块采用了增强型IGBT和二极管芯片，耐压达到650V。这些新的芯片与众所周知的600V IGBT3器件一样，具有相同的导通特性和开关特性；而且可靠性也没有发生改变(如SOA、RBSOA、SCSOA)。这些通过最新的IGBT和二极管终端结构的开发得以实现，并确保了超薄的70?m芯片厚度不发生改变。因此，650V IGBT的集电极－发射极饱和电压VCE_SAT在25°C仍然保持在极低的1.45V水平(150°C时为1.70V)。器件的开关损耗较低，当开关频率为16kHz时，损耗仅占逆变器总损耗的三分之一。此外，该IGBT还具备非常平滑的电流拖尾特性，即使在恶劣的条件下，也不会造成电压过冲。二极管的VF-Qrr 关系也作了优化，正向压降极在25°C条件下为1.55V((150°C时为1.45V)，并保持器软关断特性。