赛米控SKM400GB125D

　　产品性能和作用

　　赛米控SKM400GB125D并联了多达8个芯片（IGBT和二极管）。二极管并联尤其具有挑战性，因为Vf的负温度系数会降低额定电流. 为此，SEMIKRON开发了定制解决方案，满足高功率应用（为静态和动态功率分配进行了优化）及高直流环母线电压应用（在关断时动态过电压限制)。与同功率等级的其它模块相比，赛米控SKM400GB125D IGBT模块所带来的性能提升不仅取决于采用了新一代的芯片而且还取决于低的端电阻和相对较低的杂散电感。

　　赛米控SKM400GB125D基本参数: 超快速IGBT模块 400A/1200V SEMITRANSTM3封装

　　赛米控SKM400GB125D 外形封装尺寸和结构图（mm）

　　赛米控SKM400GB125D 等效电路图

　　赛米控SKM400GB125D IGBT模块的工作原理

　　IGBT就是一个开关，非通即断，如何控制他的通还是断，就是靠的是栅源极的电压，当栅源极加+12V（大于6V，一般取12V到15V）时IGBT导通，栅源极不加电压或者是加负压时，IGBT关断，加负压就是为了可靠关断。

　　IGBT没有放大电压的功能，导通时可以看做导线，断开时当做开路。

　　IGBT有三个端子，分别是G，D，S，在G和S两端加上电压后，内部的电子发生转移（半导体材料的特点，这也是为什么用半导体材料做电力电子开关的原因），本来是正离子和负离子一一对应，半导体材料呈中性，但是加上电压后，电子在电压的作用下，累积到一边，形成了一层导电沟道，因为电子是可以导电的，变成了导体。如果撤掉加在GS两端的电压，这层导电的沟道就消失了，就不可以导电了，变成了绝缘体。