英飞凌BSM200GB120DLC

　　产品性能和作用

　　英飞凌BSM200GB120DLC是由欧佩克生产的新型IGBT之一，BSM200GB120DLC比上一代IGBT提供更好的DC和AC特性、更长的短路耐受时间以及更低的漏电流。经过所有这些改进，BSM200GB120DLC能实现高效和可靠的逆变器系统。英飞凌BSM200GB120DLC电力电子中的许多应用，尤其是电机驱动器、不间断电源(UPS)、可再生能源、电焊机、感应加热炉具和其他需要高电流和高电压能力的逆变器应用。短路耐受能力也是IGBT用于逆变器应用的一项重要功能。

　　英飞凌BSM200GB120DLC基本参数:EUPEC 200A/1200V,两单元半桥模块

　　英飞凌BSM200GB120DLC外形封装尺寸和结构图（mm）

　　英飞凌BSM200GB120DLC 产品参数

　　英飞凌BSM200GB120DLC 等效电路图

　　英飞凌BSM200GB120DLC IGBT逆变器的运用原理

　　在逆变器驱动UPS或电机应用中，IGBT如果在故障电机、输出短路或输入总线电压直通情形中导通，可能会损坏。在这些条件下，经过IGBT的电流快速增加直至饱和。在故障检测和保护功能激活前，IGBT将承受电压力。从拓扑上看，三级中点箝位拓扑越来越普遍，甚至可应用到中低功率逆变器，因为更好的输出电压性能可减小滤波器尺寸并降低成本，同时在不过分牺牲开关损耗的情况下增加开关频率。在这种情况下，1200V击穿电压为满足应用要求提供了极大的帮助。由于无法在三级NPC拓扑中完美平衡直流母线电压，较高的阻断电压对此拓扑极其重要。开发1200V IGBT时，将开关和传导损耗保持在与120000V IGBT相同水平至关重要。通常较高的击穿电压会造成Vce(sat)增加，并导致逆变器应用中的性能降低。