滁州常见的锂电充电芯片推荐厂家

名称:滁州常见的锂电充电芯片推荐厂家

供应商:深圳市鼎春科技有限公司

价格:面议

最小起订量:1/个

地址:深圳市宝安区西乡街道流塘路金满堂大厦601A

手机:13823531607

联系人:江静波 (请说在中科商务网上看到)

产品编号:218434617

更新时间:2024-10-31

发布者IP:121.35.185.52

详细说明
产品参数
产地:深圳
品牌:鼎春科技
订货号:通用
产品优势
产品特点: 公司主营电源IC:XY6112P,XY6115,符合EUP2014标准,芯片源自国外,金线封装,性能稳定!公司还研发生产智能创意电子产品:墙壁嵌入是WIFI路由器、USB充电器、蓝牙音箱、WIFI智能插座、WIFI智能开关。公司还开发音乐灯光控制器:灯光随音乐节奏闪烁,律动感强,可多达10路输出,实用于KTV,家庭客厅,舞台灯光控制......致力于电源芯片的开发与销售,还开发各类智慧创意,绿色节能电子产品。
服务特点: 公司拥有一流的开发团队,产品质量可靠,稳定性强,公司产品广泛用于大功率电源、矿机电源、工业电源、适配器、充电器等电源产品,待机功耗低,工作高效率,节能环保。被国内外大型电源厂广泛应用,出货量50KK/年,并获得客户一致好评。欢迎来电咨询!

  滁州常见的锂电充电芯片推荐厂家

  锂电池保护芯片的作用

  锂电池保护芯片工作原理中的主要元器件的介绍:

  1、IC:它是保护芯片的核心,首先取样电池电压,然后通过判断发出各种指令。MOS管:它主要起开关作用

  2、保护芯片正常工作:保护芯片上MOS管刚开始可能处于关断状态,磷酸铁锂电池接上保护芯片后,必须先触发MOS管,P+与P-端才有输出电压,触发常用方法——用一导线把B-与P-短接。

  3、保护芯片过充保护:在P+与P-上接上一高于电池电压的电源,电源的正极接B+、电源的负极接B-,接好电源后,电池开始充电,电流方向如图所示的I1的流向电流从电源正极出发,流经电池、D1、MOS2到电源负极,IC通过电容来取样电池电压的值,当电池电压达到4.25v时,IC发出指令,使引脚CO为低电平,这时电流从电源正极出发,流经电池、D1、到达MOS2时由于MOS2的栅极与CO相连也为低电平,MOS2关断,整个回路被关断,电路起到保护作用。

  4、保护芯片过放保护:在P+与P-上接上一合适的负载后,电池开始放电其电流方向如I2,电流从电池的正极经负载、D2、MOS1到电池的负极,(这时MOS2被D2短路);当电池放电到2.5v时IC采样并发出指令,让MOS1截止,回路断开,电池被保护了。

  焊盘(除外表贴焊盘外)的堆叠,意味孔的堆叠,在钻孔工序会由于在一处多次钻孔导致断钻头,导致孔的损害。多层板中两个孔堆叠,如一个孔位为阻隔盘,另一孔位为衔接盘(花焊盘),这样绘出底片后表现为阻隔盘,形成的作废。在一些图形层上做了一些无用的连线,本来是四层板却规划了五层以上的线路,使形成误解。规划时图省事,以Protel软件为例对各层都有的线用Board层去画,又用Board层去划标注线,这样在进行光绘数据时,由于未选Board层,漏掉连线而断路,或者会由于选择Board层的标注线而短路,因而规划时保持图形层的完整和明晰。

  滁州常见的锂电充电芯片推荐厂家

  平行信号线之间要尽量留有较大的间隔,以减少串扰。如果有两条相距较近的信号线,较好在两线之间走一条接地线,这样可以起到屏蔽作用。设计信号传输线时要避免急拐弯,以防传输线特性阻抗的突变而产生反射,要尽量设计成具有一定尺寸的均匀的圆弧线。印制线的宽度可根据上述微带线和带状线的特性阻抗计算公式计算,印制电路板上的微带线的特性阻抗一般在50~120Ω之间。要想得到大的特性阻抗,线宽做得很窄。但很细的线条又不容易制作。综合各种因素考虑,一般选择68Ω左右的阻抗值比较合适,因为选择68Ω的特性阻抗,可以在延迟时间和功耗之间达到较佳平衡。一条50Ω的传输线将消耗更多的功率;较大的阻抗固然可以使消耗功率减少,但会使传输延迟时间憎大。由于负线电容会造成传输延迟时间的增大和特性阻抗的降低。但特性阻抗很低的线段单位长度的本征电容比较大,所以传输延迟时间及特性阻抗受负载电容的影响较小。具有适当端接的传输线的一个重要特征是,分枝短线对线延迟时间应没有什么影响。当Z0为50Ω时。分枝短线的长度限制在2.5cm以内.以免出现很大的振铃。

  滁州常见的锂电充电芯片推荐厂家

  不要用桩线。因为桩线都是噪声源。如果桩线短,可在传输线的末端端接就可以了;如果桩线长,会以主传输线为源,产生很大的反射,使问题复杂化,建议不要使用。公共阻抗耦合:是一种常见的耦合通道即干扰源和被干扰设备往往共用某些导体(例如回路电源、总线、公共接地等)。在该通道上,Ic的下降回在串联的电流回路中引起共模电压,影响接收机。场共模耦合将引起辐射源在由被干扰电路形成的环路和公共参考面上引起共模电压。如果磁场占主要,在串联地回路中产生的共模电压的值是Vcm=-(△B/△t)*面积(式中的△B=磁感应强度的变化量)如果是电磁场,已知它的电场值时,其感应电压:Vcm=(L*h*F*E)/48,公式适用于L(m)=150MHz以下,超过这个限制,most大感应电压的计算可简化为:Vcm=2*h*E。

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