吐鲁番锂电池充电管理芯片供应厂家

　　锂电池保护芯片的作用

　　锂电池保护芯片工作原理中的主要元器件的介绍:

　　1、IC:它是保护芯片的核心，首先取样电池电压，然后通过判断发出各种指令。MOS管:它主要起开关作用

　　2、保护芯片正常工作:保护芯片上MOS管刚开始可能处于关断状态，磷酸铁锂电池接上保护芯片后，必须先触发MOS管，P+与P-端才有输出电压，触发常用方法——用一导线把B-与P-短接。

　　3、保护芯片过充保护:在P+与P-上接上一高于电池电压的电源，电源的正极接B+、电源的负极接B-，接好电源后，电池开始充电，电流方向如图所示的I1的流向电流从电源正极出发，流经电池、D1、MOS2到电源负极，IC通过电容来取样电池电压的值，当电池电压达到4.25v时，IC发出指令，使引脚CO为低电平，这时电流从电源正极出发，流经电池、D1、到达MOS2时由于MOS2的栅极与CO相连也为低电平，MOS2关断，整个回路被关断，电路起到保护作用。

　　4、保护芯片过放保护:在P+与P-上接上一合适的负载后，电池开始放电其电流方向如I2，电流从电池的正极经负载、D2、MOS1到电池的负极，（这时MOS2被D2短路）；当电池放电到2.5v时IC采样并发出指令，让MOS1截止，回路断开，电池被保护了。

　　有两种方法能使高速电路在相对长的线上工作而无严重的波形失真，TTL对下降边沿采用肖特基二管箝位方法，使过冲量被箝制在比地电位低一个二管压降的电平上，这就减少了后面的反冲幅度，较慢的上升边缘允许有过冲，但它被在电平“H”状态下电路的相对高的输出阻抗（50～80Ω）所衰减。此外，由于电平“H”状态的抗扰度较大，使反冲问题并不十分突出，对HCT系列的器件，若采用肖特基二管箝位和串联电阻端接方法相结合，其改善的效果将会更加明显。

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　　孔径公差问题:目前国内钻机大部分钻孔公差控制在±0.05mm,再加上孔内镀层厚度的公差，金属化孔公差控制在±0.075mm,非金属化孔公差控制在±0.05mm.另外容易忽略的一个问题是钻孔到多层板内层铜皮或线的隔离距离，由于钻孔定位公差为±0.075mm,层压时内层压板后图形伸缩变形有±0.1mm的公差变化。因此设计时孔边到线或铜皮的距离4层板在0.15mm以上，6层或8层板在0.2mm以上的隔离才可方便于生产。

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　　基材工艺处理的问题: 是对一些较薄的基板(一般0.8mm以下)来说，因为基板刚性较差，不宜用刷板机刷板。 这样可能会无法有效除去基板生产加工过程中为板面铜箔氧化而处理的保护层，虽然该层较薄， 刷板较易除去，但是采用化学处理就存在较大困难，所以在生产加工重要注意控制，以免造成板面基材 铜箔和化学铜之间的结合力不良造成的板面起泡问题；这种问题在薄的内层进行黑化时，也会存在黑化 棕化不良，颜不均，部黑棕化不问题。

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