三明高效率锂电充电芯片批发

　　锂电池保护芯片的作用

　　锂电池保护芯片工作原理中的主要元器件的介绍:

　　1、IC:它是保护芯片的核心，首先取样电池电压，然后通过判断发出各种指令。MOS管:它主要起开关作用

　　2、保护芯片正常工作:保护芯片上MOS管刚开始可能处于关断状态，磷酸铁锂电池接上保护芯片后，必须先触发MOS管，P+与P-端才有输出电压，触发常用方法——用一导线把B-与P-短接。

　　3、保护芯片过充保护:在P+与P-上接上一高于电池电压的电源，电源的正极接B+、电源的负极接B-，接好电源后，电池开始充电，电流方向如图所示的I1的流向电流从电源正极出发，流经电池、D1、MOS2到电源负极，IC通过电容来取样电池电压的值，当电池电压达到4.25v时，IC发出指令，使引脚CO为低电平，这时电流从电源正极出发，流经电池、D1、到达MOS2时由于MOS2的栅极与CO相连也为低电平，MOS2关断，整个回路被关断，电路起到保护作用。

　　4、保护芯片过放保护:在P+与P-上接上一合适的负载后，电池开始放电其电流方向如I2，电流从电池的正极经负载、D2、MOS1到电池的负极，（这时MOS2被D2短路）；当电池放电到2.5v时IC采样并发出指令，让MOS1截止，回路断开，电池被保护了。

　　过电流1检出电压:在一般状况下，VM逐渐升至DO由高电平 变为低电平时VM-VSS间电压。过电流2检出电压:在一般状况下，VM从OV起以1ms以上4ms以下的速度升到 DO端由高电平变为低电平时VM-VSS间电压。负载短路检出电压:在一般状况下，VM以OV起以1μS以上50μS以下的速度升至DO端由高电平变为低电平时VM-VSS间电压。充电器检出电压:在过放电状况下，VM以OV逐渐下降至DO由低电平变为变为高电平时VM-VSS间电压。

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　　从技术的发展角度来看，器件的上升沿将只会减少，总线的宽度将只会增加。保持地反弹在可接受的唯一方法是减少电源和地分布电感。对于，芯片，意味着，移到一个阵列晶片，尽可能多地放置电源和地，且到封装的连线尽可能短，以减少电感。对于，封装，意味着移动 层封装，使电源的地平面的间距更近，如在BGA封装中用的。对于连接器，意味着使用更多的地引脚或重新设计连接器使其具有内部的电源和地平面，如基于连接器的带状软线。对于电路板，意味着使相邻的电源和地平面尽可能地近。由于电感和长度成正比，所以尽可能使电源和地的连线短将降低地噪声。

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　　电源与地的统一，稳定。仔细考虑的布线和合适的端接可以消除反射。仔细考虑的布线和合适的端接可以减小容性和感性串扰。需要抑制噪声来满足EMC要求。PCB的设计中，有几个要点要注意，如果没有遵守这些要点，那么我们设计出来的PCB很可能就会是无法使用的。因此在设计之前，一定要了解以下的几个要点。等长的意思是在设计使差分线的时候，要注意让两根信号线的长度一样的长。因为通过使信号线的长度一致，我们可以达到信号的传输的时间一致，这样我们的差分信号的性就会不一样，产生相反的情况。如果我们的差分信号一样的话，我们的信号的质量就会很差，因此在设计时，一定要遵守等长的原则。

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