仙桃锂电池充电管理芯片原理

　　锂电池充电芯片提供符合锂电池充电曲线的充电电压电流控制。

　　锂电池保护提供充电过压，过流，放电欠压，过流，和短路保护功能。

　　锂电保护芯片是二次防护电路，在考虑安全的前提下，任何锂电池都必须有锂电保护电路进行沉余。

　　过充电维护锂离子电池要求的充电方法为恒流／恒压，在充电初期，为恒流充电，跟着充电进程，电压会上升到４．２Ｖ（依据正材料不同，有的电池要求恒压值为４．１Ｖ），转为恒压充电，直至电流越来越小。电池在被充电进程中，假如充电器电路失去操控，会使电池电压超越４．２Ｖ后继续恒流充电，此刻电池电压仍会继续上升，当电池电压被充电至超越４．３Ｖ时，电池的化学副反响将加重，会导致电池损坏或呈现问题。在带有维护电路的电池中，当操控ＩＣ检测到电池电压达到４．２８Ｖ（该值由操控ＩＣ决议，不同的ＩＣ有不同的值）时，其“ＣＯ”脚将由高电压转变为零电压，使Ｖ２由导通转为关断，然后切断了充电回路，使充电器无法再对电池进行充电，起到过充电维护效果。而此刻因为Ｖ２自带的体二管ＶＤ２的存在，电池可以经过该二管对外部负载进行放电。在操控ＩＣ检测到电池电压超越４．２８Ｖ至发出关断Ｖ２信号之间，还有一段延不时刻，该延不时刻的长短由Ｃ３决议，一般设为１秒左右，以因搅扰而形成误判别。

　　仙桃锂电池充电管理芯片原理

　　电池在对负载放电进程中，若回路电流大到使Ｕ＞０．９Ｖ（该值由操控ＩＣ决议，不同的ＩＣ有不同的值）时，操控ＩＣ则判别为负载短路，其“ＤＯ”脚将敏捷由高电压转变为零电压，使Ｖ１由导通转为关断，然后切断放电回路，起到短路维护效果。短路维护的延不时刻短，一般小于７微秒。其作业原理与过电流维护类似，仅仅判别方法不同，维护延不时刻也纷歧样。除了操控ＩＣ外，电路中还有一个重要元件，就是ＭＯＳＦＥＴ，它在电路中起着开关的效果，因为它直接串接在电池与外部负载之间，因而它的导通阻抗对电池的功能有影响，当选用的ＭＯＳＦＥＴ较好时，其导通阻抗很小，电池包的内阻就小，带载能力也强，在放电时其耗费的电能也少。

　　仙桃锂电池充电管理芯片原理

　　表面铜厚问题，由于孔铜需要通过化学沉铜及电镀铜完成，如果不做处理，在加厚孔铜时表面铜厚会随着一起加厚。根据IPC-A-600G标准，most小铜镀层厚度，1、2级为20um ,3级为25um.因此在线路板制作时，如果铜厚要求1OZ（较小30.9um）铜厚时，开料有时会根据线宽/线距选择HOZ（较小15.4um）开料，除去2-3um的允许公差，较小可达33.4um,如果选择1OZ开料，成品铜厚较小将达到47.9um.其它铜厚计算可依次类推。

　　仙桃锂电池充电管理芯片原理