伊犁地区锂电池充电芯片介绍

　　锂电池保护芯片的作用

　　锂电池保护芯片工作原理中的主要元器件的介绍:

　　1、IC:它是保护芯片的核心，首先取样电池电压，然后通过判断发出各种指令。MOS管:它主要起开关作用

　　2、保护芯片正常工作:保护芯片上MOS管刚开始可能处于关断状态，磷酸铁锂电池接上保护芯片后，必须先触发MOS管，P+与P-端才有输出电压，触发常用方法——用一导线把B-与P-短接。

　　3、保护芯片过充保护:在P+与P-上接上一高于电池电压的电源，电源的正极接B+、电源的负极接B-，接好电源后，电池开始充电，电流方向如图所示的I1的流向电流从电源正极出发，流经电池、D1、MOS2到电源负极，IC通过电容来取样电池电压的值，当电池电压达到4.25v时，IC发出指令，使引脚CO为低电平，这时电流从电源正极出发，流经电池、D1、到达MOS2时由于MOS2的栅极与CO相连也为低电平，MOS2关断，整个回路被关断，电路起到保护作用。

　　4、保护芯片过放保护:在P+与P-上接上一合适的负载后，电池开始放电其电流方向如I2，电流从电池的正极经负载、D2、MOS1到电池的负极，（这时MOS2被D2短路）；当电池放电到2.5v时IC采样并发出指令，让MOS1截止，回路断开，电池被保护了。

　　该维护回路由两个ＭＯＳＦＥＴ（Ｖ１、Ｖ２）和一个操控ＩＣ（Ｎ１）外加一些阻容元件构成。操控ＩＣ担任监测电池电压与回路电流，并操控两个ＭＯＳＦＥＴ的栅，ＭＯＳＦＥＴ在电路中起开关效果，分别操控着充电回路与放电回路的导通与关断，Ｃ３为延时电容，该电路具有过充电维护、过放电维护、过电流维护与短路维护功用，其作业原理分析如下:在正常状况下电路中Ｎ１的“ＣＯ”与“ＤＯ”脚都输出高电压，两个ＭＯＳＦＥＴ都处于导通状况，电池可以自由地进行充电和放电，因为ＭＯＳＦＥＴ的导通阻抗很小，一般小于３０毫欧，因而其导通电阻对电路的功能影响很小。此状况下维护电路的耗费电流为μＡ级，一般小于７μＡ。

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　　创建的工程文件网络表只能部分调入pcb:生成netlist时没有选择为global。当使用自己创建的多部分组成的元件时，千万不要使用annotate.PCB制造过程中常见错误造成重孔，在钻孔时因为在一处多次钻孔导致断钻及孔的损伤。多层板中,在同一位置既有连接盘,又有隔离盘,板子做出表现为 隔离,连接错误。图形层使用不规范违反常规设计,如元件面设计在Bottom层,焊接面设计在TOP层, 使人造成误解。

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　　要明确设计目标接受到一个设计任务,首先要明确其设计目标,是普通的PCB板、高频PCB板、小信号处理PCB板还是既有高频率又有小信号处理的PCB板，如果是普通的PCB板,只要做到布布线合理整齐,机械尺寸准确无误即可,如有中负载线和长线,就要采用一定的手段进行处理,减轻负载,长线要加强驱动,重点是长线反射。 当板上有超过40MHz的信号线时，就要对这些信号线进行的考虑，比如线间串扰等问题。如果频率更高一些，对布线的长度就有更严格的限制，根据分布参数的网络理论，高速电路与其连线间的相互作用是决定性因素，在系统设计时不能忽略。随着门传输速度的提高，在信号线上的反对将会相应增加，相邻信号线间的串扰将成正比地增加，通常高速电路的功耗和热耗散也都很大，在做高速PCB时应引起的重视。

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