西藏锂电池充电管理芯片介绍

　　锂电池过放电，会降低电池的寿命，在为电压过低的电池以正常电流充电时，也容易发生危险。电池保护芯片能够在电池端电压低于阈值时切断电池放电，从而避免电池电压过低，影响电池寿命。

　　所以说一款符合标准，并具有高精度的电池保护芯片，能够为多串的锂电池组提供完善的过充、过放以及过流保护能力，从而确保电池的安全使用。

　　故障原因与排除麻坑:麻坑是有机物污染的结果。大的麻坑通常阐明有油污染。拌和不良，就不能驱赶掉气泡，这就会构成麻坑。能够运用潮湿剂来减小它的影响,咱们通常把小的麻点叫针孔，前处理不良、有金属什质、硼酸含量太少、镀液温度太低都会发生针孔，镀液保护及工艺操控是要害，防针孔剂使用作工艺安稳剂来补加。粗糙、毛刺:粗糙就阐明溶液脏，充分过滤就可纠正（PH太高易构成氢氧化物沉淀应加以操控）。电流密度太高、阳泥及补加水不纯带入杂质，严峻时都将发生粗糙及毛刺。

　　西藏锂电池充电管理芯片介绍

　　板面在机加工(钻孔，层压，铣边等)过程造成的油污或其他液体沾染灰尘污染表面处理不良的现象。沉铜刷板不良: 沉铜前磨板压力过大，造成孔口变形刷出孔口铜箔圆角甚至孔口漏基材，这样在沉铜电镀喷锡焊接等过程 中就会造成孔口起泡现象；即使刷板没有造成漏基材，但是过重的刷板会加大孔口铜的粗糙度，因而在微 蚀粗化过程中该处铜箔易产生粗化过度现象，也会存在着一定的质量隐患；因此要注意加强刷板工艺的 控制，可以通过磨痕试验和水膜试验将刷板工艺参数调政至most佳；

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　　过电流1检出电压:在一般状况下，VM逐渐升至DO由高电平 变为低电平时VM-VSS间电压。过电流2检出电压:在一般状况下，VM从OV起以1ms以上4ms以下的速度升到 DO端由高电平变为低电平时VM-VSS间电压。负载短路检出电压:在一般状况下，VM以OV起以1μS以上50μS以下的速度升至DO端由高电平变为低电平时VM-VSS间电压。充电器检出电压:在过放电状况下，VM以OV逐渐下降至DO由低电平变为变为高电平时VM-VSS间电压。

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