湖北高耐压锂电充电芯片生产厂家哪家好

　　锂电池保护芯片的作用

　　锂电池保护芯片工作原理中的主要元器件的介绍:

　　1、IC:它是保护芯片的核心，首先取样电池电压，然后通过判断发出各种指令。MOS管:它主要起开关作用

　　2、保护芯片正常工作:保护芯片上MOS管刚开始可能处于关断状态，磷酸铁锂电池接上保护芯片后，必须先触发MOS管，P+与P-端才有输出电压，触发常用方法——用一导线把B-与P-短接。

　　3、保护芯片过充保护:在P+与P-上接上一高于电池电压的电源，电源的正极接B+、电源的负极接B-，接好电源后，电池开始充电，电流方向如图所示的I1的流向电流从电源正极出发，流经电池、D1、MOS2到电源负极，IC通过电容来取样电池电压的值，当电池电压达到4.25v时，IC发出指令，使引脚CO为低电平，这时电流从电源正极出发，流经电池、D1、到达MOS2时由于MOS2的栅极与CO相连也为低电平，MOS2关断，整个回路被关断，电路起到保护作用。

　　4、保护芯片过放保护:在P+与P-上接上一合适的负载后，电池开始放电其电流方向如I2，电流从电池的正极经负载、D2、MOS1到电池的负极，（这时MOS2被D2短路）；当电池放电到2.5v时IC采样并发出指令，让MOS1截止，回路断开，电池被保护了。

　　一般锂电池充电芯片一般包含操控IC、MOS开关、电阻、电容及辅助器材FUSE、PTC、NTC、ID、存储器等。其间操控IC，在一切正常的情况下操控 MOS开关导通，使电芯与外电路导通，而当电芯电压或回路电流超越规定值时，它马上操控MOS开关关断，维护电芯的。在维护板正常的情况下，Vdd为高电平，Vss，VM为低电平，DO、CO为高电平，当Vdd，Vss，VM一项参数改换时，DO或CO端的电平将发作变化。

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　　助焊层是机器贴片的时候用的，对应着贴片元件的焊盘，在SMT加工中通常采用一块钢板，将PCB上对应着元器件焊盘的地方打孔，然后钢板上上锡膏，PCB在钢板下的时候，锡膏漏下去，也就刚好每个焊盘上沾上焊锡，所以通常阻焊层不能大于实际的焊盘的尺寸。线路板助焊层与阻焊层区别两个层都是上锡焊接用的，并不是指一个上锡，一个上绿油，而是:助焊层用于贴片封装。默认情况下，没有阻焊层的区域都要上绿油；

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　　不适用:是用户对印制电路板外观要求严格；注意事项:因重叠拷贝后，焊盘呈椭圆。重叠拷贝后，线、盘边缘的光晕及变形。适用:底片长宽方向变形比例一致，不便重钻试验板时，仅适用银盐底片。不适用:底片长宽方向变形不一致。注意事项:照像时对焦应准确，线条变形。底片损耗较多，通常情况下，需有多次调试后方获得满意的电路图形。对于一个新设计的电路板，调试起来往往会遇到一些困难，是当板比较大、元件比较多时，往往无从下手。但如果掌握好一套合理的调试方法，调试起来将会事半功倍。

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