西安常用的锂电充电芯片供应商

名称:西安常用的锂电充电芯片供应商

供应商:深圳市鼎春科技有限公司

价格:面议

最小起订量:1/个

地址:深圳市宝安区西乡街道流塘路金满堂大厦601A

手机:13823531607

联系人:江静波 (请说在中科商务网上看到)

产品编号:215904831

更新时间:2024-05-06

发布者IP:121.35.185.52

详细说明
产品参数
产地:深圳
品牌:鼎春科技
订货号:通用
产品优势
产品特点: 公司主营电源IC:XY6112P,XY6115,符合EUP2014标准,芯片源自国外,金线封装,性能稳定!公司还研发生产智能创意电子产品:墙壁嵌入是WIFI路由器、USB充电器、蓝牙音箱、WIFI智能插座、WIFI智能开关。公司还开发音乐灯光控制器:灯光随音乐节奏闪烁,律动感强,可多达10路输出,实用于KTV,家庭客厅,舞台灯光控制......致力于电源芯片的开发与销售,还开发各类智慧创意,绿色节能电子产品。
服务特点: 公司拥有一流的开发团队,产品质量可靠,稳定性强,公司产品广泛用于大功率电源、矿机电源、工业电源、适配器、充电器等电源产品,待机功耗低,工作高效率,节能环保。被国内外大型电源厂广泛应用,出货量50KK/年,并获得客户一致好评。欢迎来电咨询!

  西安常用的锂电充电芯片供应商

  锂电池保护芯片的作用

  锂电池保护芯片工作原理中的主要元器件的介绍:

  1、IC:它是保护芯片的核心,首先取样电池电压,然后通过判断发出各种指令。MOS管:它主要起开关作用

  2、保护芯片正常工作:保护芯片上MOS管刚开始可能处于关断状态,磷酸铁锂电池接上保护芯片后,必须先触发MOS管,P+与P-端才有输出电压,触发常用方法——用一导线把B-与P-短接。

  3、保护芯片过充保护:在P+与P-上接上一高于电池电压的电源,电源的正极接B+、电源的负极接B-,接好电源后,电池开始充电,电流方向如图所示的I1的流向电流从电源正极出发,流经电池、D1、MOS2到电源负极,IC通过电容来取样电池电压的值,当电池电压达到4.25v时,IC发出指令,使引脚CO为低电平,这时电流从电源正极出发,流经电池、D1、到达MOS2时由于MOS2的栅极与CO相连也为低电平,MOS2关断,整个回路被关断,电路起到保护作用。

  4、保护芯片过放保护:在P+与P-上接上一合适的负载后,电池开始放电其电流方向如I2,电流从电池的正极经负载、D2、MOS1到电池的负极,(这时MOS2被D2短路);当电池放电到2.5v时IC采样并发出指令,让MOS1截止,回路断开,电池被保护了。

  为使电路板漂亮且简单焊接,尽可能将元件进行平行排列,这样也有利于进行大批量出产。电路板规划的most佳比例应该为4∶3的矩形。导线宽度应该尽量均衡,避免布线不接连。应该避免使用大面积铜箔,避免其在电路板长期受热时发作胀大和掉落的现象。smt贴片元器件体积小,重量轻,贴片元件比引线元件容易焊接。贴片元件还有一个很重要的好处,那便是提高了电路的稳定性和性,关于pcba加工制作来说便是提高了制作的成功率。这是由于贴片元件没有引线,从而减少了杂散电场和杂散磁场,这在高频模仿电路和高速数字电路中尤为明显。

  西安常用的锂电充电芯片供应商

  考虑工艺流程的选择PCB的制作容易收到多种因素的影响,加工层数、打孔工艺、表面涂层处理等工艺流程都会会PCB板成品质量造成影响。因此,这对这些工艺流程环境,pcb板加工制作是结合制作设备的特性进行充分考虑,并能根据PCB板种类和加工需求的不同进行灵活的调整。如今智能手机的功能将FPC的使用和发展推向新的高度,而全面屏智能手机时代的到来,推动着FPC产业链的重新布和走向,其柔性LED屏的大范围的应用,大的拉动了具有柔性特点的FPC的需求,另外智能手机屏下指纹识别方案促使着FPC电路板朝着双层超薄、超窄的方向发展。

  西安常用的锂电充电芯片供应商

  因为锂离子电池的化学特性,电池生产厂家规定了其放电电流most大不能超越2C(C=电池容量/小时),当电池超越2C电流放电时,将会导致电池的永久性损坏或呈现问题。电池在对负载正常放电进程中,放电电流在经过串联的2个MOSFET时,因为MOSFET的导通阻抗,会在其两端发作一个电压,该电压值U=I*RDS*2,RDS为单个MOSFET导通阻抗,操控IC上的“V-”脚对该电压值进行检测,若负载因某种原因导致反常,使回路电流增大,当回路电流大到使U>0.1V(该值由操控IC决议,不同的IC有不同的值)时,其“DO”脚将由高电压转变为零电压,使V1由导通转为关断,然后切断了放电回路,使回路中电流为零,起到过电流维护效果。在操控IC检测到过电流发作至发出关断V1信号之间,也有一段延不时间,该延不时刻的长短由C3决议,一般为13毫秒左右,以因搅扰而形成误判别。在上述操控进程中可知,其过电流检测值巨细不只取决于操控IC的操控值,还取决于MOSFET的导通阻抗,当MOSFET导通阻抗越大时,对同样的操控IC,其过电流维护值越小。

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