广州锂电池充电芯片和锂电池保护芯片有什么区别

　　电源管理的发展历程

　　上世纪40年代晶体管问世，不久后，作为电源管理技术的发展基础的晶闸管在晶体管渐趋成熟的基础上问世，从而揭开了电源管理技术长足发展序幕。

　　1979年发明了功率场效应晶体管 (MOSFET)，1986年高压集成电路(HVTC)开始出现，这就是最早的电源集成电路。

　　上世纪80年代，确定了集成化是电力电子技术未来发展方向，电源集成电路逐步成为功率半导体器件中的主导器件，开启了电源管理的新时代。自出现以来，电源管理技术发展势头迅猛，已经成为了涵盖生产生活大小方面的关键部分。

　　放电的深度是影响电池寿命的主要因素，放电的深度越高，电池的寿命就越短。换句话说，只要降低放电深度，就能大幅延长电池的使用寿命。因此，我们应避免将电池过放至低的电压。电池在高温下放电时，会缩短电池的使用寿命。如果设计的电子器材不能停止电流，若将该器材长时间搁置不用，而不把电池取出, 其残余电流有时会令电池过分消耗, 造成电池过放电。把不同电容量、化学结构或不同充电水平的电池，以及新旧不一的电池混合使用时，亦会令电池放电过多, 甚至会造成反充电。

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　　电池的包装材料有哪些？不干介子（纸）如纤维纸、双面胶PVC膜、商标管连接片:不锈钢片、纯镍片、镀镍钢片引出片:不锈钢片（易于焊锡）纯镍片（点焊牢）保护元器件类如温控开关、过流保护器、限流电阻电池包装、组合及设计的目的是什么？电池电压的限制，要获得较高电压需串联多只电池保护电池，短路延长电池使用寿命功能的设计，如防水，外型设计等。电池性能与测试

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　　指电池的内部气压，是密封电池在充放电过程中产生的气体所致，主要受电池材料、制造工艺、电池结构等因素影响。其产生原因主要是由于电池内部水分及有机溶液分解产生的气体于电池内聚集所致。一般电池内压均维持在正常水平，在过充或过放情况下，电池内压有可能会升高:例如过充电，正: 4OH- - 4e → 2H2O + O2↑； ①产生的氧气与负上析出的氢气反应生成水 2H2 + O2 → 2H2O ②

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