晶片切割機是非常精密之設備，其主軸轉速約在30,000至 60,000rpm之間，由於晶粒與晶粒之間距很小而且晶粒又相當脆弱，因此精度要求相當高，且必須使用鑽石刀刃來進行切割，而且其切割方式係採磨削的方式把晶粒分開。功率分析仪在测试时出现的数据跳动、效率异常等现象，很多时候与信号的频率是否准确测量有着很大的关系，本文就对频率测量的重要性进行分析，希望能帮助大家进行更准确的测量。首先我们来看看为什么频率的测量对其他参数会造成如此大的影响。同步源的选择用过功率分析仪的工程师一定会记得，在对仪器进行设置的时候，一个叫“同步源”的设置选项，该选项包括了各个测试通道的电压和电流，工程师可以自主来进行选择。该选项的选择对直流信号测试影响不大，但对交流信号的测试会有很大的影响。

　　 关键部件有:主轴，光学系统，工作台部分，电机驱动部分等

　　 由於係採用磨削的方式進行切割，會產生很多的小粉屑，因此在切割過程中必須不斷地用淨水沖洗，以避免污染到晶粒。其中，该被测系统主要采用芯片LMR14050SSQDDARQ1输出5V/5A，并给后续芯片TPS65263QRHBRQ1供电，同时输出1.5V/3A，3.3V/2A以及1.8V/2A。这两个芯片都工作在2.2MHz的开关频率下。另外，图中显示的传导EMI标准是CISPR25Class5。有关该系统的更多信息，请查阅应用笔记SNVA810。C5标准下的噪声特性（无滤波器）显示了增加一个DM滤波器后的EMI结果。除上述諸點外，在整個切割過程中尚須注意之事項頗多，例如晶粒需完全分割但不能割破承載之膠帶，切割時必須沿著晶粒與晶粒間之切割線不能偏離及蛇行，切割過後不能造成晶粒之崩塌或裂痕等等。

　　 為解決上述諸多問題，各種自動偵測、自動調整及自動清洗的設備都會應用到機器上以減少切割時產生錯誤而造成之損失。运行成本低:工作电流小（小于11A），速度快（达140mm/s）延长氪灯使用寿命，减少维护，减少材料损耗，降低故障率，降低运行成本。

　　 激光切割的无接触特点给圆锯片切割成形带来无应力优势，由此提高了使用寿命首先要將晶圓（Wafer）的背面貼上一層膠帶（Wafer Mount），之後再將其送至晶圓切割機加以切割

　　 如超过35℃需更换循环水，或向水中添加冰块降低水温，（建议用户选择冷却机，或使用两个水箱）。切割完後，一顆顆的晶粒會井然有序的排列黏貼在膠帶上，目前在测量仪器方面基本所有仪器界面所显示内容都是固定不可更改，即使大部分内容并不是客户所关心的，造成视觉混乱以及空间的“浪费”。为了解决这一问题，致远功率分析仪是如何变身的呢-用户自定义界面，欲知后事如何，请看下节分解。功率分析仪在数值显示上有三种可选界面显示方式，所有项目、X（124）项目、用户自定义。所有项目在所有项目下，通过翻页可以查看所有的测试项内容，但每页所显示内容均不可更改，如下:PA8所有项目界面X项目该界面显示有6项目、12项目、24项目，该显示方式表示每页显示的测量项有x项，并且用户可以更改测试项内容，默认情况下每页显示不同单元的相同测试项，下图是24项目界面:项目界面以上两种显示界面都没能解决文章所提问题，别急。同時由於框架的支撐可避免晶粒因膠帶皺褶而產生碰撞，而有利於搬運過程。此實驗有助於了解切割機的構造、用途與正確之使用方式。