新型氮化硅陶瓷材料具有高强度、高硬度、耐腐蚀、耐高温等特性。氮化硅陶瓷这些特性主要来源于陶瓷的化学结合键陶瓷可以分为氧化物和非氧化物两大类非氧化物中主要是以共价键结合，而氧化物的键合方式多由离子键和共价键混合而成与由自由电子形成的金属键结合相比，离子键尤其是共价键结合坚固，不易变形和切断共价键结合强的物质一般具有密度低、硬度高、弹性系数和断裂应力大等特点另外，共价键结合受温度的影响较小，因此非氧化物陶瓷的耐高温性能好。

　　氮化硅陶瓷轴由氮化硅陶瓷材料制作而成，硬度9~9.5，努氏硬度约为2200，显微硬度为32630MPa可用作高温氮化硅陶瓷原料。

　　烧结氮化硅陶瓷,其热膨胀系数较低,为2.53×10-6/℃,导热率为18.42?W/m·K,因此它具有优良的抗热震性能,仅次于石英和微晶玻璃,有实验报告说明密度为2500kg/m3的反应烧结氮化硅试样由1200℃冷却至20℃热循环上千次，仍然不破裂，氮化硅陶瓷的热稳定性好，可在高温中长期使用

　　氮化硅陶瓷轴颜色:灰色、白色或灰白色

　　氮化硅陶瓷轴特性:纳米氮化硅陶瓷的抗热震性方面的研究还 很少陶瓷材料的抗热震性能是力学性能和热学性质的综合表现,氮化硅陶瓷的很多应用都与温度有关,使用环境中的温度骤变将会使其力学性能大大下降[7] ,因而研究纳米氮化硅陶瓷的抗热震性能具有重要理论 价值

　　氮化硅熔点1900℃，比体积电阻，20℃时为1.4×105 ·m,500℃时为4×108 ·m。

　　氮化硅陶瓷可做高温绝缘材料，氮化硅轴其性能指标的优劣主要取决于合成方式与纯度，材料内未被氮化的游离硅，在制备中带入的碱金属、碱土金属、铁、钛、镍等杂志，均可恶化氮化硅陶瓷的电性能，一般氮化硅陶瓷在室温下、在干燥介质中的比电阻为1015～1016欧姆，介电常数是9.4～9.5，在高温下，氮化硅陶瓷轴仍保持较高的比电阻值，随着工艺条件的提高，氮化硅可以进入常用电介质行列测量杨氏模量的方法一般有拉伸法、梁弯曲法、振动法、内耗法等，还出现了利用光纤位移传感器、莫尔条纹、电涡流传感器和波动传递技术（微波或超声波）等实验技术和方法测量杨氏模量。

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