颗粒弥散增韧是在Si 3N 4陶瓷中加入一定粒度的、具有高弹性模量的颗粒,如SiC 、TiC 、TiN 等,在材料断裂时促使裂纹发生偏转和分叉,消耗断裂能,从而提高氮化硅陶瓷韧性的方法近年来人们对引入第二相粒子弥散增韧Si 3N 4复合材料进行了较多的研究,该方法工艺简单、价格便宜,易于大规模生产和被市场接受

　　氮化硅（Si3N4）是一种重要的结构陶瓷材料，它是一种超硬物质,本身具有润滑性,并且耐磨损,为原子晶体耐热，在常压下，Si3N4没有熔点，于1870℃左右直接分解，可耐氧化到1400℃，实际使用达1200℃

　　比热容为0.71J/(g·K)，生成热为-751.57kJ/mol

　　多孔碳化硅的热膨胀系数小于氧化铝的热膨胀 系数，碳化硅的抗热震性能优于氧化铝水冷-强度法测定多孔陶瓷的实验表明:随着热震温差的增加， 氧化铝多孔陶瓷的强度衰减程度比碳化硅大得多，当热震温差为200℃时，氧化铝多孔陶瓷的残余强度急剧衰减，并低于碳化硅多孔陶瓷在热震温差为700℃时的强度；此外，陶瓷材料的弹性模量随着热震温差的增加而降低通过碳化硅多孔陶瓷的强度-热应力校核， 碳化硅多孔陶瓷热震临界温差范围为300～400℃，因此，在实际应用过程中，为了保证材料的正常使用，碳化硅多孔材料的热震温差不宜超过300℃

　　氮化硅是一种共价化合物，所以原子之间以较强的共价键相互结合，所以它具有很高的硬度及熔点

　　α碳化硅制成制成防晕带后电阻率升高值下降，颗粒越粗，值下降越大;防晕带与粉料的非线性性质有相似的规律，而α碳化硅具有比β碳化硅低得多的电阻率和较大的非线性系数，并且其电阻率和非线性系数收到粉料的粒径、合成温度和涂层有机物含量等因素的直接影响

　　临界应变能量释放率可以 通过有限元程序计算 双面涂层三层复合梁三点弯曲试验示意图Fig Three-point bend test triplexcompound beams 改进的拉伸试验测量界面应变能量释放率 大多数断裂试验使用边界裂纹试样，但边界裂 纹可能与埋藏在涂层 基体界面处裂纹或缺陷的破坏机制不能完全吻合

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