电子系统的高可靠性依赖于元器件的可靠性。

　　元器件的高可靠性，在性能指标上，除了具有长寿命、大功率、高频率外，在产品质量指标上，要具有抗辐射、抗静电、抗闩锁（CMOS）,高密封性。

　　在电气性能上要具有低功耗、耐压、耐高温、耐低温及在恶劣环境下的适应能力。

　　在器件键合质量上又不得不提出新的高标准要求。

　　这就要求科技人员在键合质量上不得不做深入的研究和探索工作。

　　元器件键合点的任何松动和脱落，会导致电子整机系统失灵、程序错乱、目标丢失，带来的后果不堪设想。

　　因此，元器件的键合质量的控制（包括引线键合和芯片键合）是必不可少的。

　　元器件键合质量是军工产品质量控制、生产过程控制中的重点之重。

　　键合质量分析包括引线键合和芯片键合。

　　引线键合分析包括芯片压点、Si－Al丝、外壳压点。

　　芯片键合分析主要讨论导电胶对芯片键合质量的影响。

　　引线键合一般要通过严格的芯片镜检，但在芯片钝化层的制造过程中，一般采用聚酰亚胺（P－I）、Si3N4及PSG钝化膜。

　　PSG作为民品芯片钝化层。

　　Si3N4钝化层经过刻蚀后，芯片压点比较正常。

　　特别是采用聚酰亚胺（P－I）作为钝化保护层时，局部压点偶然出现异常，压点颜色不均匀。