KRI考夫曼离子源典型应用IBF离子束抛光工艺

名称:KRI考夫曼离子源典型应用IBF离子束抛光工艺

供应商:伯东企业(上海)有限公司

价格:面议

最小起订量:1/台

地址:中国(上海)自由贸易试验区基隆路89号10层1018-1020室

手机:15201951076

联系人:罗先生 (请说在中科商务网上看到)

产品编号:190787903

更新时间:2023-06-12

发布者IP:116.25.94.21

详细说明
产品参数
是否进口:是
产地:美国

  KRI考夫曼离子源典型应用 IBF 离子束抛光工艺

  离子束抛光加工 Ion Beam Figuring, IBF 已逐渐成为光学零件表面超精加工常用的最后一道工艺, 离子源是离子束抛光机的核心部件. 上海伯东美国 KRI 直流电源式考夫曼离子源KDC 系列成功应用于光学镀膜离子束抛光机 IBF Optical coating 及晶体硅片离子束抛光机 IBF Clrystalline )工艺.

  考夫曼离子源通过控制离子的强度及浓度, 使抛光刻蚀速率更快更准确, 抛光后的基材上获得更平坦, 均匀性更高的薄膜表面. KDC 考夫曼离子源内置型的设计更符合离子源于离子抛光机内部的移动运行. 上海伯东是美国 KRI 考夫曼离子源中国总代理.

  KRI离子源离子束抛光实际案例一:

  1. 基材: 100 mm 光学镜片

  2. 离子源条件: Vb: 800 V ( 离子束电压 ), Ib: 84 mA ( 离子束电流 ) , Va: -160 V ( 离子束加速电压 ), Ar gas ( 氩气 ).

离子束抛光前平坦度影像呈现图离子束抛光后平坦度影像呈现图

  KRI离子源离子束抛光实际案例二:

  1. 基材: 300 mm 晶体硅片

  2. 离子源条件: Vb: 1000 V ( 离子束电压 ), Ib: 69 mA ( 离子束电流 ), Va: -200 V ( 离子束加速电压 ) Ar gas ( 氩气 )

离子束抛光前平坦度影像呈现图离子束抛光后平坦度影像呈现图

  KRI离子源实际安装案例一: KDC 10 使用于光学镀膜离子束抛光机

  KRI离子源实际安装案例二: KDC 40 使用于晶体硅片离子束抛光机

  上海伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 系列根据客户离子抛光工艺条件提供如下型号:

型号KDC 10KDC 40KDC 75KDC 100KDC 160
电压DC magnetic confinement
- 阴极灯丝11222
- 阳极电压0-100V DC
电子束电子束
- 栅极专用,自对准
- 栅极直径1 cm4 cm7.5 cm12 cm16 cm