离子源应用于离子刻蚀 IBE

　　上海伯东代理美国考夫曼 KRI 离子源, 其产品霍尔离子源EH400 HC 成功应用于离子蚀刻 IBE.

　　霍尔离子源离子抨击能量强, 蚀刻效率快, 可因应多种基材特性, 霍尔源单次使用长久, 耗材成本极低, 操作简易, 安装简易, 因此美国考夫曼霍尔离子源广泛应用于蚀刻制程及基板前处理制程.

　　霍尔离子源客户案例一: 某大学天文学系小尺寸刻蚀设备

　　系统功能: 对于 Fe, Se, Te ,PCCO 及多项材料刻蚀工艺.

　　样品尺寸: 2英寸硅芯片.

　　刻蚀设备: 小型刻蚀设备. 选用上海伯东美国考夫曼品牌霍尔离子源EH400 HC

　　霍尔离子源EH400HC 安装于刻蚀腔体内

　　离子源EH400HC 自动控制单元

　　霍尔离子源EH400HC 通氩气

　　对于 FeSeTe 刻蚀应用,霍尔离子源EH400HC 条件: 110V/1.5A, 刻蚀速率 >20 A/Sec

　　对于 FeSeTe 刻蚀应用,霍尔离子源EH400HC 条件: 110V/1.5A, 刻蚀速率 >17 Å/Sec

　　霍尔离子源EH400HC 特性:

　　高离子浓度, 低离子能量

　　离子束涵盖面积广

　　镀膜均匀性佳

　　提高镀膜品质

　　模块化设计, 保养快速方便

　　增加光学膜后折射率 (Optical index)

　　全自动控制设计, 操作简易

　　低耗材成本, 安装简易

　　若您需要进一步的了解产品详细信息或讨论,请联络上海伯东邓女士,分机134