详细说明
KRI离子源应用
上海伯东代理美国 KRI 考夫曼离子源主要应用于真空环境下的离子束辅助沉积, 纳米级的干式蚀刻和表面改性.
| 常见的工艺应用 | 简称 |
| In-Situ Substrate Preclean 基片预清洗 | PC |
| Ion Beam Modification of Material & Surface Properties 离子束材料和表面改性- Surface polishing or smoothing 表面抛光- Surface nano structures and texturing 改变纳米结构和纹理- Ion figuring and enhancement 离子刻蚀成形- Ion trimming and tuning 离子表面优化- Surface activated bonding | IBSMSAB |
| Ion Beam Assisted Deposition 离子束辅助沉积 | IBAD |
| Ion Beam Etching 离子蚀刻- Reactive Ion Beam Etching 反应离子蚀刻- Chemically Assisted Ion Beam Etching 化学辅助离子蚀刻 | IBERIBECAIBE |
| Ion Beam Sputter Deposition 磁控溅射辅助沉积- Reactive Ion Beam Sputter Deposition 反应离子磁控溅射沉积- Biased Target Ion Beam Sputter Deposition 偏压离子束磁控溅射 | IBSDRIBSDBTIBSD |
| Direct Deposition 直接沉积- Hard and functional coatings 硬质和功能膜 | DD |
作为一种新兴的材料加工技术, 美国 KRI 考夫曼离子源凭借出色的技术性能, 协助客户获得理想的薄膜和材料表面性能. 行业涉及精密光学, 半导体制造, 传感器, 医学等多个领域.
| 精密薄膜控制薄膜为若干单层膜 | | 半导体可重复使用的金属涂层附着力 |
| 蚀刻晶元刻蚀均匀性和临界几何尺寸 | | MEMS, 传感器和显示器表面优化 |
| 精密光学薄膜致密稳定, 折射率优化, 吸收率低 | | 磁数据存储金属和介质多层堆叠中纳米特性的各向异性和均匀腐蚀 |
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源,霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经40 年改良及发展已取得多项专利. KRi 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.
若您需要进一步的了解产品详细信息或讨论,请联络上海伯东邓女士,分机134