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上海伯东代理美国原装进口 KRI 霍尔离子源 eH200 是霍尔离子源型 eH 系列中尺寸最小, 低成本设计离子源. 霍尔离子源 eH200 适用于小型真空腔内, 例如研发分析, 薄膜沉积和离子清洗. 霍尔离子源 eH200 操作简单是理想的生产工具.
KRI 霍尔离子源 eH 200 技术参数:
| 型号 | eH 200 |
| 供电 | DC magnetic confinement |
| - 电压 | 40-300V VDC |
| - 离子源直径 | ~ 2 cm |
| - 阳极结构 | 模块化 |
| 电源控制 | eHx-3005A |
| 配置 | - |
| - 阴极中和器 | Filament or Hollow Cathode |
| - 离子束发散角度 | > 45° (hwhm) |
| - 阳极 | 标准或 Grooved |
| - 水冷 | 无 |
| - 底座 | 移动或快接法兰 |
| - 高度 | 2.0' |
| - 直径 | 2.5' |
| -加工材料 | 金属 |
| 电介质 |
| 半导体 |
| -工艺气体 | Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors |
| - 安装距离 | 6-24” |
| - 自动控制 | 控制4种气体 |
| * 可选: 可调角度的支架; Filamentless; Sidewinder | |
KRI 霍尔离子源 eH 200 应用领域:
溅镀和蒸发镀膜 PC
辅助镀膜(光学镀膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
直接沉积 DD
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源,霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经40 年改良及发展已取得多项专利. KRi 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.
若您需要进一步的了解产品详细信息或讨论,请联络上海伯东邓女士,分机134